惠普海力士签署协议 将共同开发忆组器存储

　　惠普今天宣布它已与海力士半导体公司签署联合开发协议，开发的产品是忆组器。惠普实验室首先提出了“忆组器”的概念，作为电路的第四种基本电子元件，忆组器将在将来的存储器市场上扮演重要角色。

　　两家公司表示，在未来3年内，他们将联合开发忆组器相关的材料、工艺和集成技术，使记忆电阻作为可变式电阻存储器(ReRAM)。海力士公司将主要负责记忆电阻的装配技术。

　　忆组器是一个有记忆功能的非线性电阻。在今年的早些时候，惠普宣布忆组器也可以执行逻辑运算。而有了这种能力，一个忆组器可以同时担当处理器和存储的工作任务，或许在不远的将来，忆组器还可以同时担当大规模存储和中央处理器的任务。

　　“忆组器的存储容量是竞争对手的许多倍。”海力士公司首席技术官S.W Park说，“采取惠普的记忆电阻技术，我们可以提供更新且更为节能的存储产品，给用户更快速的体验。”

　　作为非易失存储器的一种，ReRAM有可能取代MP3播放器中的NAND闪存，它也可以用来做DRAM和固态硬盘(SSD)，以形成大容量存储介质。惠普表示，忆组器运行时需要的能量更少，而且比SSD存储技术更快。

　　原子显微镜拍摄的忆组器模型

　　早在1971年，加州大学伯克利分校教授Leon Chua就预言忆组器是除电容、电感、电阻之外的第四种基本电路元件。在2006年，惠普公司实验室通过不懈的努力，终于造出了忆组器的实物模型。

　　惠普量子科研小组主任Stan Williams在声明中说：“这一协议使得惠普的核心知识产权与一流的供应制造商联手，将这一世界级存储器大规模投向市场。”

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